FF1MR12KM1HSHPSA1
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 395A（Tc） 底座安装 AG-62MMHB
物料参数
| 技术: | 碳化硅（SiC） |
| 配置: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 395A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.2 毫欧 @ 560A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.15V @ 224mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1600nC @ 18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 48400pF @ 800V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | AG-62MMHB |